STMicroelectronics также предлагает новое поколение IGBT-транзисторов (биполярных транзисторов с изолированным затвором), разработанных с применением технологии PowerMESH, с успехом используемой в MOSFET-транзисторах. Основные преимущества новых IGBT транзисторов: ниже UСE SAT (напряжение насыщения КЭ), выше IC (ток коллектора), больше скорость переключения. Семейство IGBT-транзисторов с низким UСE SAT можно идентифицировать по суффиксу "S" в наименовании, например, STGD7NB60S. Зависимость UСE SAT от IC приведена на рисунке. Это семейство IGBT-транзисторов применяется на частотах до 1 кГц для управления различными низкочастотными моторами.
Более подробно об остальных транзисторах IGBT