Диоды Шоттки на основе карбида кремния (SiC) на сегодняшний день, пожалуй, являются идеальным решением для создания высокоэффективных электронных систем.
SiC диоды Шоттки идеальны как демпферные и антипараллельные диоды в солнечных инверторах и 3-фазовых схемах электропривода, а так же в корректорах коэффициента мощности (PFC), демпферных схемах в UPS и источниках питания. Также, они могут использоваться в приложениях, где предъявляются более высокие требования к устройствам питания.
Основные особенности:
Высокая скорость переключения, не зависящая от номинального тока, скорости его нарастания (dI/dt) и температуры.
Положительный температурный коэффициент, позволяющий легко включать приборы в параллель.
Отсутствие процессов прямого и обратного восстановления в результате максимального снижения паразитной емкости.
